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二次篩選是元器件裝機(jī)前可靠性的重要保障過程，但是二次篩選的不當(dāng)操作和防護(hù)也能給電子元器件的運(yùn)用留下隱患或者直接造成失效。所以在二次篩選檢測試驗(yàn)中，從環(huán)境保護(hù)、操作審查與小心操作、靜電防護(hù)、DPA與FA等方面做好電子元器件的可靠性保障工作是十分關(guān)鍵的。接下來為大家介紹環(huán)境及靜電對(duì)元器件二次篩選的影響。

環(huán)境對(duì)電子元器件的影響 

電子元器件都有一個(gè)運(yùn)用環(huán)境要求，特別是溫濕度、電應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力的要求。像溫度傳感器、熱敏電阻這些對(duì)溫度比較敏感的器件，在貯存和運(yùn)轉(zhuǎn)過程中，應(yīng)該盡量貯存在常溫條件下，運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)盡量避免在熱阻較高、導(dǎo)熱性能差的容器中進(jìn)行運(yùn)轉(zhuǎn)。否則容易發(fā)生溫度劇變導(dǎo)致器件失效或長時(shí)間的高溫狀態(tài)而導(dǎo)致器件熱應(yīng)力疲勞。

對(duì)于電子元器件，一般應(yīng)該輕取輕放，否則容易造成外形變形或尺寸變化。電子元器件在插入或拔出測試夾具時(shí)不能猛插猛取，否則會(huì)由于用力過大而造成機(jī)械損傷或機(jī)械應(yīng)力疲勞；在保證接觸良好的狀態(tài)下，對(duì)器件管腳施加的應(yīng)力應(yīng)該越小越好。

貯存濕度不能過高，否則容易發(fā)生管腳表面腐蝕或電性能惡化。QJ2227-92《航天用電子元器件貯存和超期復(fù)驗(yàn)要求》A2規(guī)定了電子元器件的有效貯存期和貯存環(huán)境，貯存的濕度越高，其有效貯存期就越短。

另外，像光電器件類對(duì)輻射敏感的器件應(yīng)該盡量遠(yuǎn)離輻射源，否則容易造成輻射損傷。

靜電防護(hù)

靜電來源：

靜電的來源比較廣泛，日常生活中常見的如摩擦起電，感應(yīng)生電，人體與塵埃。pcba生產(chǎn)中，由于機(jī)械的運(yùn)動(dòng)，電磁感應(yīng)等也容易產(chǎn)生靜電。所以機(jī)械物品上也會(huì)存在靜電荷。

另外，由于能量量子的輻射與吸收，也會(huì)產(chǎn)生電荷。因?yàn)樵诓牧现校貏e是半導(dǎo)體材料，由于吸收了相應(yīng)能量量子，使得價(jià)帶上的電荷得以躍遷到導(dǎo)帶上形成自由電荷?；蛟S由于輻射能量量子而使得導(dǎo)帶上的電荷躍遷到價(jià)帶，減少了導(dǎo)帶電荷而使得電荷不平衡。

靜電放電模型及分類介紹：

當(dāng)前國際上，靜電放電大致可以歸納為三種主要模型：人體模型，機(jī)械模型，放電模型。人體模型等效電阻較大，機(jī)械模型等效電阻稍小，放電模型是指感應(yīng)靜電荷而產(chǎn)生放電，他可以包括帶電器件模型、電場感應(yīng)模型、帶電芯片模型。隨著納米器件的興起和半導(dǎo)體工藝向納米級(jí)推進(jìn)，放電模型對(duì)電子元器件的影響也將越來越突出和明顯。

靜電放電級(jí)別按元器件類型和靜電敏感度進(jìn)行分類，根據(jù)GB1649-93《電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱》可分為1級(jí)（0～1999V）、2級(jí)（2000V～3999V）和3級(jí)（4000V～15999V）。微波器件、離散型MOS場效應(yīng)晶體管、聲表面波（SAW）器件、結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFETs）、電荷耦合器件（CCDs）、精密穩(wěn)壓二極管、運(yùn)算放大器、薄膜電阻器、集成電路、使用1級(jí)元器件的混合電路、超高速集成電路（VHSIC）等一般均屬于1級(jí)靜電敏感元器件；試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為2級(jí)的元器件和微電路、精密電阻網(wǎng)絡(luò)、使用2級(jí)元器件的混合電路、低功率雙極型晶體管（Ptot<100mW，Ic<100mA）等屬于2級(jí)敏感元器件；試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為3級(jí)的元器件和微電路、Ptot<1W或Io<1A的小信號(hào)二極管、普通要求的硅整流器、光電器件、片狀電阻等屬于3級(jí)敏感元器件。

根據(jù)不同防靜電級(jí)別的元器件，要不同程度的提高防靜電注意力，做好防靜電措施。

靜電損傷與靜電防護(hù)：

靜電損傷主要是場效應(yīng)管的絕緣柵、電路的外圍器件（保護(hù)二極管）、薄膜電阻器、金屬化條等，損傷嚴(yán)重的直接會(huì)使器件擊穿或毀壞器件，有些電路被損傷以后通過外觀檢查和電參數(shù)測試也不能暴露問題，損傷較輕的通過試驗(yàn)和電參數(shù)測試也未必能夠顯示出來，這就給器件的運(yùn)用留下了隱患。靜電損傷后，容易造成器件開路、短路、特性曲線惡化、反向電流加大、頻率特性惡化等失效模式。所以，在二次篩選實(shí)驗(yàn)室，靜電防護(hù)也是十分重要的。

靜電的防護(hù)，除了按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等的規(guī)定和要求進(jìn)行防護(hù)外，還應(yīng)該從靜電的來源、靜電泄放的條件等方面去考慮。