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分立器件HTRB高溫反向偏壓試驗(yàn)介紹

文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間:2023-06-07 瀏覽數(shù)量:

什么是高溫反向偏壓試驗(yàn)?

高溫反向偏壓試驗(yàn)(High TemperatureReverseBias),簡稱HTRB。是分立器件可靠性最重要的一個試驗(yàn)項(xiàng)目,實(shí)驗(yàn)在高溫條件下,模擬器件長時間工作狀態(tài)中的耐受能力,以此可推算出實(shí)際應(yīng)用中器件的壽命和應(yīng)力大小。在器件量產(chǎn)或使用前按照實(shí)際應(yīng)用場景模擬實(shí)驗(yàn),提前摸清器件應(yīng)力情況,可完全避免因應(yīng)力、環(huán)境導(dǎo)致的失效及影響,是出廠器件必不可少的一項(xiàng)老化實(shí)驗(yàn)。


高溫反向偏壓試驗(yàn).jpg


實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/h2>

暴露器件跟時間、應(yīng)力相關(guān)的缺陷,衡量當(dāng)前器件是否滿足規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)要求,排查出封裝或晶圓本身的質(zhì)量問題。


測試相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

可覆蓋車規(guī)、工規(guī)及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、 JESD 22-A108、JEDEC、 JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。


適應(yīng)器件種類

可覆蓋各種半導(dǎo)體分立器件(二極管、三極管、MOSFET 管 (增強(qiáng)型、耗盡型)、達(dá)林頓管、可控硅、IGBT)進(jìn)行高溫反偏試驗(yàn),適用于各種封裝。


優(yōu)科實(shí)驗(yàn)室具備AEC-Q100/101/102/103/104/200標(biāo)準(zhǔn)檢測資質(zhì)和檢測能力,可提供車規(guī)級集成電路、分立半導(dǎo)體器件、光電半導(dǎo)體器件、傳感器、被動元件等汽車電子元件AEC-Q檢測認(rèn)證服務(wù)。我們可依據(jù)產(chǎn)品使用條件和質(zhì)量指標(biāo),定義符合汽車電子質(zhì)量要求的測試計(jì)劃,助力客戶快速進(jìn)入汽車電子市場。


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