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SiC MOSFET器件AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證機(jī)構(gòu)

SiC MOSFET器件相對(duì)于傳統(tǒng)的硅（Si）器件具有許多優(yōu)點(diǎn)，如更高的溫度耐受性、更高的功率密度和更低的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。因此，在汽車(chē)電子中，尤其是在電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力車(chē)輛中，SiC MOSFET器件越來(lái)越受到關(guān)注。通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，代表著SiC MOSFET器件產(chǎn)品具有優(yōu)異品質(zhì)和高可靠性，是半導(dǎo)體企業(yè)在汽車(chē)領(lǐng)域立足必要且首選的“入場(chǎng)券”。

優(yōu)科檢測(cè)是專(zhuān)業(yè)第三方AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證測(cè)試機(jī)構(gòu)，實(shí)驗(yàn)室具備AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)CNAS全項(xiàng)檢測(cè)資質(zhì)和CNCA發(fā)證能力，可提供SiC MOSFET器件AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證測(cè)試服務(wù)。

AEC-Q101認(rèn)證測(cè)試項(xiàng)目

1. 各項(xiàng)參數(shù)測(cè)試：如性能測(cè)試、外觀、參數(shù)驗(yàn)證、物理尺寸、熱阻、雪崩耐量、短路可靠性、介質(zhì)完整性等。

2. 環(huán)境應(yīng)力實(shí)驗(yàn)：按照軍用電子器件環(huán)境適應(yīng)性標(biāo)準(zhǔn)和汽車(chē)電子通用環(huán)境適應(yīng)性標(biāo)準(zhǔn)，執(zhí)行器件的應(yīng)力實(shí)驗(yàn)，如高溫反偏、高溫柵偏壓、溫度循環(huán)、高壓蒸煮、HAST、高溫高濕反偏、高溫高濕工作、間歇工作壽命、功率溫度循環(huán)、常加速、振動(dòng)、沖擊、氣密性等

3. 工藝質(zhì)量評(píng)價(jià)：針對(duì)封裝、后續(xù)電子組裝工藝，以及使用可靠性進(jìn)行的相應(yīng)元器件工藝質(zhì)量評(píng)價(jià)，如ESD、DPA、端子強(qiáng)度、耐溶劑試驗(yàn)、耐焊接熱、可焊性、綁線拉力剪切力、芯片推力、無(wú)鉛測(cè)試等。

AEC-Q101認(rèn)證測(cè)試報(bào)告包含內(nèi)容

AEC-Q101試驗(yàn)報(bào)告是一份詳細(xì)的測(cè)試報(bào)告，用于評(píng)估汽車(chē)電子零部件在各種條件下的性能和可靠性。該報(bào)告包括以下內(nèi)容：

1. 測(cè)試目的：明確測(cè)試的性質(zhì)、目的、對(duì)象、參考標(biāo)準(zhǔn)和依據(jù)。

2. 測(cè)試設(shè)備：列出測(cè)試所需的所有設(shè)備和儀器，包括名稱(chēng)、型號(hào)、規(guī)格和編號(hào)。

3. 測(cè)試條件：描述測(cè)試所需的環(huán)境條件，如溫度、濕度、壓力等。

4. 測(cè)試樣品：描述測(cè)試樣品的特征，如尺寸、重量、顏色等。

5. 測(cè)試程序：詳細(xì)說(shuō)明測(cè)試的步驟和方法，包括測(cè)試前準(zhǔn)備、測(cè)試過(guò)程和測(cè)試后處理。

6. 測(cè)試結(jié)果：記錄測(cè)試過(guò)程中的所有數(shù)據(jù)和結(jié)果，包括圖表、曲線和照片等。

7. 數(shù)據(jù)分析：對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析和解釋?zhuān)贸鼋Y(jié)論和建議。

8. 報(bào)告總結(jié)：總結(jié)測(cè)試報(bào)告的主要內(nèi)容和結(jié)論，提出建議和改進(jìn)措施。